YMIN-ohutkalvokondensaattorit täydentävät täydellisesti Infineonin CoolSiC™ MOSFET G2 -transistoria
Infineonin uuden sukupolven piikarbidipohjainen CoolSiC™ MOSFET G2 on johtava innovaatio virranhallintateknologiassa. YMIN-ohutkalvokondensaattorit, joilla on alhainen ESR-arvo, korkea nimellisjännite, alhainen vuotovirta, korkea lämpötilavakaus ja suuri kapasiteettitiheys, tarjoavat vahvan tuen tälle tuotteelle, auttaen saavuttamaan korkean hyötysuhteen, suorituskyvyn ja luotettavuuden, tehden siitä uuden ratkaisun tehonmuuntamiseen elektronisissa laitteissa.
YMINin ominaisuudet ja edutOhutkalvokondensaattorit
Matala ESR:
YMIN-ohutkalvokondensaattoreiden matala ESR-rakenne käsittelee tehokkaasti virtalähteiden korkeataajuista kohinaa, mikä täydentää CoolSiC™ MOSFET G2:n alhaisia kytkentähäviöitä.
Korkea nimellisjännite ja pieni vuoto:
YMIN-ohutkalvokondensaattoreiden korkea nimellisjännite ja pieni vuotovirta parantavat CoolSiC™ MOSFET G2:n korkean lämpötilan vakautta ja tarjoavat vankan tuen järjestelmän vakaudelle ankarissa ympäristöissä.
Korkean lämpötilan stabiilius:
YMIN-ohutkalvokondensaattoreiden korkea lämpötilastabiilius yhdistettynä CoolSiC™ MOSFET G2:n erinomaiseen lämmönhallintaan parantaa entisestään järjestelmän luotettavuutta ja vakautta.
Suuri kapasiteettitiheys:
Ohutkalvokondensaattoreiden suuri kapasiteettitiheys tarjoaa paremman joustavuuden ja tilankäytön järjestelmäsuunnittelussa.
Johtopäätös
YMIN-ohutkalvokondensaattorit, jotka ovat ihanteellinen kumppani Infineonin CoolSiC™ MOSFET G2:lle, osoittavat suurta potentiaalia. Näiden kahden yhdistelmä parantaa järjestelmän luotettavuutta ja suorituskykyä tarjoten paremman tuen elektronisille laitteille.
Julkaisun aika: 27.5.2024