Tekoälypalvelimien siirtyessä kohti suurempaa laskentatehoa, virtalähteiden suuresta tehosta ja pienentämisestä on tullut keskeisiä haasteita. Vuonna 2024 Navitas toi markkinoille GaNSafe™-galliumnitriditehosirut ja kolmannen sukupolven piikarbidi-MOSFETit, STMicroelectronics toi markkinoille uuden piifotoniikkateknologian PIC100 ja Infineon toi markkinoille CoolSiC™ MOSFET 400 V:n, kaikki parantaakseen tekoälypalvelimien tehotiheyttä.
Tehotiheyden kasvaessa passiivisten komponenttien on täytettävä tiukat miniatyrisointi-, suurikapasiteetti- ja korkea luotettavuusvaatimukset. YMIN tekee tiivistä yhteistyötä kumppaneiden kanssa luodakseen tehokkaita kondensaattoriratkaisuja suuritehoisille tekoälypalvelimien virtalähteille.
OSA 01 YMIN ja Navitas tekevät tiivistä yhteistyötä yhteisinnovaatioiden saavuttamiseksi
YMIN jatkoi investointejaan tutkimukseen, kehitykseen ja innovaatioihin vastatessaan sekä ydinkomponenttien miniatyrisoidun suunnittelun että virtalähdejärjestelmän erittäin korkean energiatiheyden aiheuttamiin kaksoishaasteisiin. Jatkuvan teknologisen tutkimuksen ja läpimurtojen jälkeen se kehitti lopulta onnistuneesti IDC3-sarjan korkeajännitteisiä torvimaisia alumiinielektrolyyttikondensaattoreita, joita sovellettiin onnistuneesti galliumnitriditehopiirien johtavan valmistajan Navitasin julkaisemiin 4,5 kW:n ja 8,5 kW:n korkeatiheyksisiin tekoälypalvelinten virtaratkaisuihin.
OSA 02 IDC3-torvikondensaattorin ytimen edut
YMINin erityisesti tekoälypalvelimien virtalähteisiin lanseeraama IDC3-sarja on korkeajännitteinen, torvenmuotoinen alumiinielektrolyyttikondensaattori, jossa on 12 teknologista innovaatiota. Se ei ainoastaan kestä suurta aaltoiluvirtaa, vaan sillä on myös suurempi kapasiteetti samalla tilavuudella, mikä täyttää tekoälypalvelimien virtalähteille asetetut tiukat tila- ja suorituskykyvaatimukset ja tarjoaa luotettavan ydintuen suuritehoisille virtalähderatkaisuille.
Suuri kapasiteettitiheys
Ottaen huomioon tekoälypalvelimen virtalähteen lisääntyneen tehotiheyden ja tilanpuutteen, IDC3-sarjan suuren kapasiteetin ominaisuudet varmistavat vakaan tasavirtalähdön, parantavat energiatehokkuutta ja tukevat tekoälypalvelimen virtalähdettä tehotiheyden parantamiseksi entisestään. Perinteisiin tuotteisiin verrattuna pienempi koko varmistaa, että se voi tarjota suuremman energian varastointi- ja lähtökapasiteetin rajoitetussa piirilevytilassa. Tällä hetkellä, verrattuna kansainvälisiin johtaviin kilpailijoihin,YMIN IDC3 -sarjaTorvikondensaattoreiden tilavuus pienenee 25–36 % samojen ominaisuuksien mukaisissa tuotteissa.
Korkea ripple-virrankestävyys
Tekoälypalvelimien virtalähteille, joissa lämmönhukka ei ole riittävä ja luotettavuus on riittämätön suurella kuormituksella, IDC3-sarja tarjoaa vahvemman ripple-virran kantokyvyn ja alhaisen ESR-suorituskyvyn. Ripple-virran kantokyky on 20 % suurempi kuin perinteisillä tuotteilla ja ESR-arvo on 30 % pienempi kuin perinteisillä tuotteilla, mikä tekee lämpötilan noususta alhaisempaa samoissa olosuhteissa, mikä parantaa luotettavuutta ja käyttöikää.
Pitkä elämä
Käyttöikä on yli 3 000 tuntia 105 °C:n korkeassa lämpötilassa, mikä sopii erityisesti tekoälypalvelinsovellusten keskeytymättömään toimintaan.
OSA 03IDC3-kondensaattoritekniset tiedot ja sovellusskenaariot
Sovellettavat skenaariot: Sopii suuren tehotiheyden omaaville, miniatyyrisille tekoälypalvelimien virtaratkaisuille
Tuotesertifiointi: AEC-Q200-tuotesertifiointi ja luotettavuussertifiointi kolmansien osapuolten kansainvälisiltä organisaatioilta.
LOPPU
IDC3-sarjan torvikondensaattoreista on tullut avain tekoälypalvelimien virtalähteiden kipukohtien ratkaisemiseen. Niiden onnistunut käyttö Nanovitan 4,5 kW:n ja 8,5 kW:n tekoälypalvelimien virtalähteissä ei ainoastaan todista YMINin johtavaa teknistä vahvuutta korkean energiatiheyden ja miniatyrisoidun suunnittelun saralla, vaan tarjoaa myös keskeisen tuen tekoälypalvelimien tehotiheyden parantamiselle.
YMIN jatkaa myös kondensaattoriteknologiansa syventämistä ja tarjoaa kumppaneille parempia ja tehokkaampia kondensaattoriratkaisuja, joiden avulla he voivat työskennellä yhdessä rikkoakseen tekoälypalvelimien virtalähteiden tehotiheysrajan tulevaa 12 kW:n tai jopa tehokkaampaa tekoälypalvelimien virtalähdeaikakautta varten.
Julkaisun aika: 15.3.2025